功率半導(dǎo)體技術(shù)創(chuàng)新者——東微半導(dǎo)（688261）即將正式登陸科創(chuàng)板。

作為一家技術(shù)驅(qū)動(dòng)型半導(dǎo)體企業(yè)，東微半導(dǎo)擁有強(qiáng)大的自主研發(fā)能力并形成了多項(xiàng)基礎(chǔ)專利，憑借優(yōu)秀的半導(dǎo)體器件與工藝創(chuàng)新能力，公司集中優(yōu)勢資源聚焦新型功率器件的開發(fā)，是國內(nèi)少數(shù)具備從專利到量產(chǎn)完整經(jīng)驗(yàn)的高性能功率器件設(shè)計(jì)公司之一，并在應(yīng)用于工業(yè)級(jí)領(lǐng)域的高壓超級(jí)結(jié)和中低壓功率器件產(chǎn)品領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)了國產(chǎn)化替代。

此次成功登陸A股，公司將從資本市場汲取發(fā)展力量，持續(xù)保持自身的領(lǐng)先地位。

下游需求持續(xù)提升  充分享受市場擴(kuò)容利好

東微半導(dǎo)主要產(chǎn)品包括高壓超級(jí)結(jié)以及中低壓屏蔽柵MOSFET產(chǎn)品，廣泛應(yīng)用于充電樁、快速充電器、電機(jī)驅(qū)動(dòng)、光伏逆變器等下游行業(yè)。在市場份額方面，公司在全球MOSFET功率器件市場份額中位列中國本土企業(yè)前十。

從需求市場來看，中國是MOSFET需求大國。在碳達(dá)峰、碳中和的政策指引下，新能源產(chǎn)業(yè)高歌猛進(jìn)，不管是從未來的市場空間，還是從短期業(yè)績的高增，新能源汽車、新能源發(fā)電均保持了高景氣度。

以MOSFET、IGBT為代表的功率半導(dǎo)體是新能源汽車電機(jī)控制器、車載空調(diào)、充電樁等設(shè)備的核心元件，汽車電動(dòng)化給MOSFET帶來巨大的增量，同時(shí)也帶動(dòng)了產(chǎn)品結(jié)構(gòu)的快速升級(jí)。在功率半導(dǎo)體的應(yīng)用占比中，汽車角度占比較高，隨著汽車電動(dòng)化、智能化、網(wǎng)聯(lián)化、共享化等加速發(fā)展，功率半導(dǎo)體將迎來發(fā)展黃金期，行業(yè)未來發(fā)展趨勢一片向好。

同時(shí)，新能源發(fā)電市場持續(xù)擴(kuò)容，也成為MOSFET、IGBT等功率半導(dǎo)體市場的重要驅(qū)動(dòng)力。目前，新能源發(fā)電主要以光伏發(fā)電和風(fēng)力發(fā)電為主，MOSFET、IGBT為代表的功率半導(dǎo)體作為光伏逆變器和風(fēng)力發(fā)電逆變器的核心元件，在新能源發(fā)電的浪潮下也迎來了大量訂單。

此外，消費(fèi)電子市場為MOSFET等功率半導(dǎo)體帶來穩(wěn)定可觀的市場體量。MOSFET是智能手機(jī)的充電保護(hù)電路、放電保護(hù)電路等組件的核心元件，在電子產(chǎn)品中應(yīng)用廣泛，隨著以智能手機(jī)為代表的消費(fèi)電子市場持續(xù)擴(kuò)張，MOSFET等功率半導(dǎo)體的需求量有望穩(wěn)步提升，同時(shí)，5G商用化進(jìn)程的開始，也將推動(dòng)MOSFET的需求量進(jìn)一步增長。

作為國內(nèi)領(lǐng)先的高性能功率器件設(shè)計(jì)廠商，東微半導(dǎo)已與國內(nèi)外各行業(yè)的龍頭客戶建立了長期的合作關(guān)系。在各類功率器件應(yīng)用領(lǐng)域尤其是工業(yè)級(jí)應(yīng)用領(lǐng)域中，公司的產(chǎn)品獲得了眾多知名企業(yè)的認(rèn)可，成為了該等客戶的少數(shù)國內(nèi)供應(yīng)商之一。同時(shí)，公司在全球范圍內(nèi)積累了眾多的知名終端品牌客戶。

隨著下游下游應(yīng)用需求的持續(xù)提升，國內(nèi)功率器件廣闊的進(jìn)口替代的存量空間，以及功率半導(dǎo)體更新?lián)Q代的驅(qū)動(dòng)。東微半導(dǎo)憑借優(yōu)異的技術(shù)實(shí)力、產(chǎn)業(yè)鏈深度結(jié)合能力和客戶創(chuàng)新服務(wù)能力，可持續(xù)受益于MOSFET產(chǎn)品市場的擴(kuò)容利好。

深化鞏固研發(fā)優(yōu)勢 打造長期的核心競爭力

超級(jí)結(jié)MOSFET是MOSFET結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)的先進(jìn)技術(shù)。目前，我國超級(jí)結(jié)MOSFET的市場參與者仍以國際大廠為主，東微半導(dǎo)是少數(shù)能在超級(jí)結(jié)MOSFET領(lǐng)域突破海外技術(shù)壟斷的本土企業(yè)。

取得這樣的成就，并非旦夕之功，東微半導(dǎo)的核心技術(shù)人員均在功率半導(dǎo)體領(lǐng)域耕耘超過十年，具有豐富的研發(fā)經(jīng)驗(yàn)，并對(duì)行業(yè)未來的技術(shù)發(fā)展趨勢具有前瞻性的創(chuàng)新能力，這確保了公司的產(chǎn)品迭代能夠緊跟行業(yè)發(fā)展趨勢，亦滿足客戶終端產(chǎn)品的創(chuàng)新需求。

在技術(shù)水平方面，公司在高壓超級(jí)結(jié)技術(shù)領(lǐng)域積累了包括優(yōu)化電荷平衡技術(shù)、優(yōu)化柵極設(shè)計(jì)及緩變電容核心原胞結(jié)構(gòu)等行業(yè)領(lǐng)先的專利技術(shù)，產(chǎn)品的關(guān)鍵技術(shù)指標(biāo)達(dá)到了與國際領(lǐng)先廠商可比的水平。在中低壓領(lǐng)域，公司亦積累了包括優(yōu)化電荷平衡、自對(duì)準(zhǔn)加工等核心技術(shù)，產(chǎn)品的關(guān)鍵技術(shù)指標(biāo)達(dá)到了國內(nèi)領(lǐng)先水平。

同時(shí)，東微半導(dǎo)將這些核心技術(shù)與專利應(yīng)用于功率器件產(chǎn)品之中，推動(dòng)了創(chuàng)新技術(shù)的產(chǎn)業(yè)化。根據(jù)《人民日?qǐng)?bào)》報(bào)道，2016年4月，公司成為率先量產(chǎn)充電樁用高壓超級(jí)結(jié)MOSFET器件的本土企業(yè)，打破了國外企業(yè)對(duì)這一產(chǎn)品的壟斷，降低了充電樁的整體成本，也為近幾年國內(nèi)充電樁的快速推廣提供了大量的國產(chǎn)化芯片。

此外，公司充分利用國際一流的晶圓代工資源，將自身的創(chuàng)新能力與代工合作伙伴的制造能力深度結(jié)合，開發(fā)出性能優(yōu)異的產(chǎn)品。公司是國內(nèi)在12英寸晶圓產(chǎn)線上較早實(shí)現(xiàn)功率器件量產(chǎn)的功率器件設(shè)計(jì)公司之一。

目前，東微半導(dǎo)已自主研發(fā)了逾900種高壓MOSFET產(chǎn)品型號(hào)并覆蓋500V-950V區(qū)間的工作電壓；以及逾500種中低壓MOSFET產(chǎn)品型號(hào)，覆蓋25V-150V區(qū)間的工作電壓。此外，公司自主研發(fā)了多個(gè)系列的TGBT產(chǎn)品系列，可滿足不同應(yīng)用場景需求。

值得一提的是，東微半導(dǎo)并未就此止步，作為一家技術(shù)驅(qū)動(dòng)型半導(dǎo)體企業(yè)，東微半導(dǎo)深知技術(shù)創(chuàng)新為企業(yè)立足之本，為了更好地指引未來發(fā)展，公司每年投入大量的研發(fā)費(fèi)用用于技術(shù)開發(fā)，并進(jìn)一步完善公司研發(fā)和技術(shù)力量建設(shè)體系，以形成持續(xù)的創(chuàng)新能力。經(jīng)過多年研發(fā)，公司在2021年推出了基于其專利結(jié)構(gòu)的創(chuàng)新型IGBT產(chǎn)品（Tri-gate IGBT）并實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)出貨，進(jìn)入了儲(chǔ)能、光伏等應(yīng)用領(lǐng)域。

此外，東微半導(dǎo)還在積極深化與上下游優(yōu)秀合作伙伴的合作，使公司的技術(shù)創(chuàng)新能力與代工合作伙伴的制造能力深度結(jié)合，創(chuàng)造出更優(yōu)秀的產(chǎn)品。這在進(jìn)一步提高公司產(chǎn)品的競爭力以及豐富產(chǎn)品結(jié)構(gòu)之外，也為東微半導(dǎo)未來新業(yè)務(wù)的拓展打下了堅(jiān)實(shí)的基礎(chǔ)。

在政策的大力扶持、行業(yè)進(jìn)步的必然趨勢、自身不斷提高的研發(fā)實(shí)力等因素下，東微半導(dǎo)已然駛?cè)氚l(fā)展的快車道，此次在科創(chuàng)板上市將進(jìn)一步增強(qiáng)其核心競爭力，也將促使其為行業(yè)發(fā)展持續(xù)提供更加優(yōu)質(zhì)的產(chǎn)品和服務(wù)。