2月10日，蘇州東微半導體股份有限公司（股票簡稱：東微半導；股票代碼：688261）將正式登陸上交所科創(chuàng)板。公開資料顯示，東微半導是一家以高性能功率器件研發(fā)與銷售為主的技術驅動型半導體企業(yè)，其產品專注于工業(yè)及汽車相關等中大功率應用領域。公司憑借優(yōu)秀的半導體器件與工藝創(chuàng)新能力，集中優(yōu)勢資源聚焦新型功率器件的開發(fā)，是國內少數(shù)具備從專利到量產完整經驗的高性能功率器件設計公司之一，并在應用于工業(yè)級領域的高壓超級結、中低壓SGT功率器件、IGBT芯片領域實現(xiàn)了國產化替代。東微半導依托對器件結構和工藝的創(chuàng)新凸顯產品的領先性，在國內眾多功率半導體廠商中獨樹一幟。

專注工業(yè)及汽車市場，人均產值超千萬元

近年來，碳中和、碳達峰、新能源汽車、5G和云計算等新技術應用需求迎來了爆發(fā)性增長，而功率半導體是在上述應用中實現(xiàn)電能轉換的核心基礎元器件。公開信息顯示，東微半導的業(yè)務大多來自于工業(yè)級和汽車相關應用。業(yè)內周知，相對于消費電子市場，工業(yè)及汽車市場對芯片的性能和品質要求更高，存在著較高的技術壁壘。在功率器件領域，應用于新能源汽車的芯片基本被進口芯片品牌壟斷，僅極少數(shù)國內芯片供應商能夠進入上述領域，而東微半導便是其中的佼佼者。經過多年驗證，2021年公司產品開始批量進入比亞迪新能源車，成功進軍車載芯片市場。

招股書披露，東微半導預計2021年度營業(yè)收入為7.72億元至8.03億元，同比增長150%至160%；預計2021年度歸屬于母公司所有者的凈利潤為1.32億元至1.53億元，同比增長377%至453%；預計2021年度扣非后的凈利潤為1.27億元至1.47億元，同比增長522%至620%。2021年公司業(yè)績暴增的主要原因是受益新能源汽車充電樁、通信電源以及光伏逆變器的需求暴增。

招股書顯示，截至2021年6月30日東微半導的研發(fā)人員占比46%，按其員工數(shù)推算，預計人均產值超過1000萬元，約是國內芯片設計行業(yè)人均產值的5倍，屬于典型的技術密集型芯片設計高科技公司。

打造技術領先優(yōu)勢  產品獲得高度認可

作為國內領先的高性能功率器件廠商，東微半導自成立以來，就對半導體功率器件核心技術的發(fā)展持續(xù)跟蹤并深入調研，進行持續(xù)的研發(fā)創(chuàng)新，確保公司的產品迭代能夠緊跟行業(yè)發(fā)展趨勢，亦滿足客戶終端產品的創(chuàng)新需求。這為公司業(yè)務開展及未來新業(yè)務的拓展打下了堅實的基礎。

高壓超級結MOSFET是東微半導的王牌產品，也是其功率分立器件領域中占比最大的產品，高壓超級結MOSFET器件具有高頻、易驅動、功率密度高等特點，應用領域非常廣泛，涵蓋通信、汽車電子、工業(yè)控制、光伏、儲能、智能電網、消費電子等領域。東微半導自成立以來積極投入對高壓超級結MOSFET產品的研發(fā)，并得到了華為、比亞迪、特銳德、通用電氣、視源股份、英飛源、英可瑞、高斯寶、金升陽、雷能、美的、創(chuàng)維、康佳等全球知名客戶的認可，取得良好的市場口碑。

2016年4月14日，人民日報刊登了東微半導的高壓超級結MOSFET在充電樁用高壓高速核心半導體器件領域首次實現(xiàn)國產化的報道，確定了東微半導在充電樁功率器件領域“國產第一芯”的地位。

招股書顯示，東微半導最先進的高壓超級結產品OSG65R017HT3F的導通電阻為14mohm，與國際領先品牌英飛凌最小的導通電阻15mohm處于相似水平，而公司產品的650V耐壓要高于英飛凌的600V耐壓，綜合性能優(yōu)勢明顯。對于MOSFET而言，導通電阻是一個重要的性能參數(shù)，該數(shù)值越小，MOSFET工作時的功率損耗越小，也越能體現(xiàn)公司的技術創(chuàng)新能力。

值得一提的是，東微半導于2016年提出的超級硅系列產品性能更為突出，OSS60R190FF型號的優(yōu)值（FOM）為2.53Ω·nC，優(yōu)于全部國際品牌在相同平臺下臨近規(guī)格的優(yōu)值，包括英飛凌最新一代產品IPDD60R190G7。

此外，東微半導還開發(fā)出原創(chuàng)Tri-gate IGBT，實現(xiàn)批量出貨。招股書指出，東微半導的IGBT產品通過優(yōu)化器件內部的載流子分布，提高了電流密度，在不提高飽和壓降Vce,sat的情況下實現(xiàn)了較低的關閉損耗Eoff。比如，公司的低飽和壓降系列650V75A芯片OST75N65HSZF，可以在Eoff相對于OST75N65HZF基本不變的情況下（0.9mJ），將飽和壓降Vce,sat典型值降低到了1.50V，性能處于國際領先水平。由于采用創(chuàng)新器件結構，東微半導的IGBT的電流密度大幅提高，其芯片面積進一步縮小，突破了傳統(tǒng)IGBT的電流密度水平，直接消除了多年以來國產IGBT與進口IGBT芯片之間的技術代差。目前，Tri-gate IGBT（TGBT）產品已在光伏逆變、儲能、充電樁模塊、電機驅動等領域批量出貨。

招股書顯示，此次東微半導登陸科創(chuàng)板募集資金主要是投向超級結與屏蔽柵功率器件產品升級及產業(yè)化項目、新結構功率器件研發(fā)及產業(yè)化項目、研發(fā)工程中心建設項目、科技與發(fā)展儲備資金等。隨著募投項目的實施，公司將進一步提升超級結、IGBT芯片等功率芯片的性能，并且開拓第三代半導體功率器件市場。