中微公司官宣!刻蝕速度已可以精準(zhǔn)到0.1到0.2納米 刻蝕設(shè)備全球出貨超5000臺(tái)
日前,中微公司官宣了其在市場(chǎng)、技術(shù)等領(lǐng)域的最新進(jìn)展!
市場(chǎng)方面,中微公司表示,公司等離子體刻蝕設(shè)備反應(yīng)總臺(tái)數(shù)全球累計(jì)出貨超過(guò)5000臺(tái)。這包括CCP高能等離子體刻蝕機(jī)和ICP低能等離子體刻蝕機(jī)、單反應(yīng)臺(tái)反應(yīng)器和雙反應(yīng)臺(tái)反應(yīng)器共四種構(gòu)型的設(shè)備。
技術(shù)方面,中微公司強(qiáng)調(diào),公司CCP和ICP的雙臺(tái)機(jī),刻蝕速度已可以精準(zhǔn)到0.1到0.2納米水平,相當(dāng)于頭發(fā)絲直徑約三十萬(wàn)分之一。要知道,一個(gè)硅原子的半徑約為0.11納米。
以下是詳細(xì)情況:
市場(chǎng)占有率:累計(jì)已銷售超5400個(gè)反應(yīng)臺(tái)
據(jù)了解,刻蝕機(jī)主要有兩種,分別是CCP高能等離子體刻蝕機(jī)和ICP低能等離子體刻蝕機(jī)。目前,無(wú)論是CCP設(shè)備還是ICP設(shè)備,中微公司的市場(chǎng)份額都在快速增長(zhǎng)。
中微公司表示,公司的CCP高能等離子刻蝕設(shè)備和ICP低能等離子體刻蝕設(shè)備的出貨量近年來(lái)都保持高速增長(zhǎng)。CCP設(shè)備在線累計(jì)裝機(jī)量近四年年均增長(zhǎng)大于37%,已突破4000個(gè)反應(yīng)臺(tái);ICP設(shè)備在線累計(jì)裝機(jī)量近四年年均增長(zhǎng)大于100%,已突破1000個(gè)反應(yīng)臺(tái)。
截至2025年2月底,中微公司累計(jì)已有超過(guò)5400個(gè)反應(yīng)臺(tái)在國(guó)內(nèi)外130多條生產(chǎn)線,全面實(shí)現(xiàn)了量產(chǎn)和大規(guī)模重復(fù)性銷售,贏得了眾多客戶和供應(yīng)廠商的信任和支持。
技術(shù)水平:刻蝕速度已可以精準(zhǔn)到0.1到0.2納米
中微公司表示,公司的刻蝕設(shè)備在過(guò)去的20年積累了大量的芯片生產(chǎn)線量產(chǎn)數(shù)據(jù)和客戶驗(yàn)證數(shù)據(jù),已經(jīng)可以覆蓋絕大多數(shù)的刻蝕應(yīng)用,包括各種高端的應(yīng)用。特別是CCP和ICP的雙臺(tái)機(jī),反復(fù)論證了雙反應(yīng)臺(tái)之間刻蝕的線寬差別,1Sigma已達(dá)到0.5納米以下,刻蝕速度已可以精準(zhǔn)到0.1到0.2納米水平,相當(dāng)于頭發(fā)絲直徑約三十萬(wàn)分之一。
中微公司還強(qiáng)調(diào),公司的刻蝕機(jī)已在5納米及更先進(jìn)的微觀器件生產(chǎn)線上大量應(yīng)用。
資料顯示,一個(gè)硅原子的半徑約為110pm(pm,長(zhǎng)度單位,1pm等于0.001納米),即0.11納米。以精準(zhǔn)到0.1到0.2納米水平,意味著中微公司的設(shè)備已經(jīng)能實(shí)現(xiàn)原子級(jí)的操作。
研發(fā)速度翻倍:只需兩年或更短時(shí)間就能開(kāi)發(fā)出新設(shè)備
中微公司強(qiáng)調(diào),公司研發(fā)新產(chǎn)品的速度顯著加快,過(guò)去通常需要三到五年開(kāi)發(fā)一款新設(shè)備,現(xiàn)在只需兩年或更短時(shí)間就能開(kāi)發(fā)出有競(jìng)爭(zhēng)力的新設(shè)備,并順利進(jìn)入市場(chǎng)。
具體來(lái)看,近年來(lái)中微公司為先進(jìn)存儲(chǔ)器件和邏輯器件開(kāi)發(fā)的六種LPCVD薄膜設(shè)備已經(jīng)順利進(jìn)入市場(chǎng)。其中,在進(jìn)入市場(chǎng)后只一年,存儲(chǔ)器生產(chǎn)線所用的LPCVD設(shè)備出貨量已突破100多個(gè)反應(yīng)臺(tái),2024年得到約4.76億元批量訂單。
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